MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH

MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH (TSM048NB06LCR RLG)

Part Number: TSM048NB06LCR RLG

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 107A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 16A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 105nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 6253pF @ 30V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 3.1W (Ta), 136W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: 8-PDFN (5x6)
  • Корпус: 8-PowerLDFN

Цена по запросу